研究概要

現在、尾辻・佐藤（昭）研究室では主に以下のような研究を行っています。

　本研究分野では，いまだ未踏の電磁波領域であるミリ波・テラヘルツ波（サブミリ波）帯の技術を開拓，実用化するために，本領域で動作する新しい電子デバイスおよび回路システムの創出と，それらの情報通信・計測システムへの応用に関する研究開発を行っています．

超ブロードバンドデバイス・システム研究分野（尾辻教授）

　　ミリ波・テラヘルツ帯での動作が可能な新規電子デバイスおよびそのシステムを研究する。具体的には，半導体ヘテロ接合構造やグラフェンに発現する2次元プラズモン共鳴を利用した新しい動作原理のテラヘルツ帯レーザーや高速トランジスタの創出を目指します．さらに，これら世界最先端の超ブロードバンドデバイス・回路を応用して，超高速無線通信や安心･安全のための新たな計測技術の開発を進めています．

超ブロードバンドデバイス物理研究分野　（佐藤准教授）

　　新規材料・新規動作原理に基づくミリ波・テラヘルツ波デバイスの創出を目指し，デバイス内の電子輸送現象や光電子物性といった物理の理論的解明や実験的実証を行なっています．また，将来の超高速無線通信や光電子融合ネットワークへのデバイス実用化に向けた研究開発を進めています．

超ブロードバンド量子エレクトロニクス研究分野　（林准教授）

　　ミリ波・テラヘルツ帯での半導体量子エレクトロニクスデバイスの創出と研究、新規材料やヘテロ・量子構造の電子輸送や光電子物性の理論的解明や実験的実証を行なっています。高強度半導体テラヘルツ光源、高効率の光電変換や検出デバイスの研究開発を進めています、超高速無線通信や光電子融合ネットワークへの実現を目指します。

(左上：電流注入型グラフェントランジスタレーザー素子(DFB-DG-GFET)の電子顕微鏡写真、利得係数＆Q値解析結果、単一モードテラヘルツレーザー発振の観測結果．
右上：グラフェン二重層二次元原子薄膜ヘテロ接合におけるフォトンアシスト共鳴トンネルによるテラヘルツ自然放出の観測結果、
下：非対称二重格子ゲートInP-HEMTのテラヘルツ検出原理、電子顕微鏡写真、検出感度の測定結果.)